Автоматизированный лабораторный стенд "Исс… | РУС СТАДИ | РУС СТАДИ
Производство г. Казань и г. Москва — отгрузка по РФ и СНГ Пн–Пт: 9:00–18:00
+7 (495) 131-15-32 info@rus-study.ru
РУС СТАДИ — учебное оборудование, на котором учатся думать и работать.
Артикул: УП5816

Автоматизированный лабораторный стенд "Исследование магнитных свойств полупроводниковых материалов" МВ-ЭХ с ПЭВМ

0 ₽
*Цена не является окончательной. Уточняйте у менеджера

Описание

Описание

Типовой комплект учебного оборудования автоматизированный лабораторный стенд "Исследование магнитных свойств полупроводниковых материалов" МВ-ЭХ с ПЭВМ предназначен для изучения физических явлений в полупроводниковых материалах под действием внешних токов и магнитных полей.

Автоматизированный лабораторный стенд "Исследование магнитных свойств полупроводниковых материалов" позволяет с помощью компьютера исследовать на лабораторных занятиях электрофизические свойства материалов по курсам "Электротехнические материалы", "Материалы электронной техники" в средних и высших технических учебных заведениях. Оборудование может применяться для обучения в общеобразовательных учреждениях, для получения базовых и углубленных профессиональных знаний и навыков по одноименным дисциплинам. Также оборудование может быть использовано на семинарах и курсах повышения квалификации электротехнического персонала предприятий и организаций.

Комплектация

  1. Автоматизированный лабораторный стенд "Исследование магнитных свойств полупроводниковых материалов" МВ-ЭХ с ПЭВМ.
  2. Ноутбук.
  3. Программное обеспечение.
  4. Комплект соединительных проводов и кабелей.
  5. Паспорт изделия.
  6. Руководство по эксплуатации.
  7. Методические указания по выполнению лабораторных работ.


Базовая комплектация:


Модуль измерительный

1

Набор образцов

1

Ноутбук

1

Программное обеспечение

1

Комплект соединительных проводов и кабелей

1

Состав

  • Модуль измерительный.
  • Набор образцов.

Учебно-методическое пособие по проведению лабораторных работ

  1. Изучение эффекта Холла.
  2. Изучение гистерезиса при эффекте Холла.
  3. Изучение зависимости эдс Холла от приложенного напряжения и величины магнитного поля.